در این تحقیق در چهار فصل ابتدایی به مقدمه ای درباره فناوری نانو، روش های سنتز و آنالیز و کارهای انجام شده توسط دیگران پرداخته می شود. در فصل پنجم به کارهای آزمایشی انجام شده برای سنتز نانوذرات سولفید کادمیوم با دو روش خودآرائی (رشد تاریکی) و فوتوشیمیایی پرداخته شده است. از ماده ی na2s2o3 به عنوان منبع تامین یون سولفور استفاده شد، که ماده ای حساس به نور است و تحت تابش نور می تواند به آرامی یون ...

در این پژوهش، ابتدا ضریب پذیرفتاری یک سیستم سه ترازی با مدل v با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی جهت بررسی ضریب شکست گروه و سرعت گروه نور تحت پدیده ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی، محاسبه شده است. با استفاده از معادله شرودینگر ویژه مقادیر و ویژه توابع نقاط کوانتومی استوانه ای گالیم-آرسناید با پتانسیل سهموی محاسبه شده است. سپس با در نظر گرفتن قطبش نور در دو جهت x و z اثرات پارامترهای متفاوتی از جم...

در این مقاله، طیف لومینسانس گسیلی از چینش هسته-چند پوسته در نانو سیم‌های نیم رسانای غیر قطبشی  با تقارن شعاعی بررسی شده است. حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون پایه اصلی محاسبات عددی برای به دست آوردن توابع موج، تراز‌های انرژی، کج شدگی‌های باند در اثر آلایش مناسب در سیستم و تاثیرات آن در طیف لومینسانس گسیلی از نانوسیم است. نتایج مقاله دارای کاربردهای فراوان در پیش‌بینی نتایج تجربی و عملکرد ...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

نیم رساناهای ترکیبی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده ی کادمیم-زینک-سولفید به روش هیدروترمال سنتز شد و برای فرایند تخریب نوری آلاینده ی زیست محیطی متیلن بلو (اکسیداسیون پیشرفته تحت تابش نور مرئی) بکار رفت. شکاف نواری نیم رساناهای سنتزی به کمک مطالعات طیف سنجی مرئی-فرابنفش بازتابی نفوذی به روش کوبلکا-مونک تعیین گردید. در بین نیم رساناهای سنتزی، کمترین لبه ی جذب (بیشترین جابجایی ق...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید ایندییم با داشتن گاف انرژی به اندازه ev 24/3 یک اکسید نیم رسانای شفّاف است. افزودن آلاینده کروم به آن باعث شد که این ترکیب نیم رسانای نوع شود و گاف انرژی به اندازه ی ev 01/4 تغییر پیدا کند و برای آلاینده روی، نوع و گاف انرژی ev 29/3 شود. ضرایب شکست استاتیکی و برابر 2 و برابر 9365/1 برای اکسید ایندییم خالص بدست آمد و افزودن آلایش های فوق برای نوع و به ترتیب ا...

نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...

آلاییدن عایق ها و نیم رساناها به منظور مغناطیسی کردن این مواد در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. چنین موادی کاربرد فراوانی در صنعت از جمله صنعت اسپینترونیک دارند. می توان به جای آلاییدن این مواد، از طریق کپسوله کردن سیم های مغناطیسی و یا نانوذرات مغناطیسی در داخل نانولوله های نیم رسانا آن ها را مغناطیسی کرد. همچنین رشد ساختار نانوذرات مغناطیسی مانند نانوذره ی آهن به دلیل اکسیده شدن...